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碳化硅的相关化学式

来源:http://www.ayrjjscl.com/news/86.html 发布日期: 2015-08-19
    我们简单的介绍一下碳化硅的反应过程,它是怎么样产生过来的,希望大家能够对碳化硅有所了解。
    碳化硅的冶炼的一步是先将二氧化硅还原成一氧化硅,之后在一氧化硅的上升过程中,不断的反应,这样会比较容易生成碳化硅,它的反应方程式是:SiO+2C=SiC+CO↑
    冶炼过程中,焦炭加入量过多时,更易产生碳化硅。其反应式如下:SiO2+3C=SiC+2CO↑
    往往在修炉时于料层内部发现大量碳化硅﹙冷却后呈褐色,稍有光泽并是针状结晶﹚,说明产生碳化硅的反应是存在的,并且是中间产物。同时,它也是比较容易被破坏的,碳化硅SiC的熔点约为2500℃,不易熔化,电阻小,导电性强。因此,炉中积存过多碳化硅,使炉况恶化。虽然碳化硅易产生,但在冶炼中由于炉料中有钢屑,碳化硅较轻易被铁﹙Fe﹚破坏,其反应式如下:SiC+Fe=FeSi+C
    除此之外,比如钢屑的数量过多,或者是炉内温度比较高也会导致碳化硅被破坏掉。这个时候我们可以改善这些情况,纠正一些在生产反应中的不足,同时形成碳化硅以后,我们也要尽快的掘出,改善炉内的状况,更容易避免碳化硅被破坏。

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