1973年,德国ESK公司对艾奇逊法进行了改进,发展了ESK法。Esk法的大型SiC冶炼炉建立在户外,没有端墙和侧墙,直线性或U型电极位于炉子底部,炉长达60m,用聚乙烯袋子进行密封以回收炉内逸出的气体,提取硫后将其通过管道小型火电厂发电。该炉可采用成本低、活性高、易反应的高硫分石油焦或焦炭作为原料,将原料硫含量由原来的1。5%提高到5。0%。
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碳化硅粉末的合成方法 合成碳化
硅粉末的方法主要有固相法、液相法和气相法三种。
固相法是通过二氧化硅和碳发生碳热还原反应或硅粉和炭黑细粉直接在惰性气氛中发生反应而制得
碳化硅细粉。可以通过机械法将艾奇逊法或ESK法冶炼的碳化硅加工成SiC细粉。目前该方法制得的细粉表面积1~15m2/g,氧化物含量1。0%左右,金属杂质含量1400~2800ppm(1ppm=10-6)。其细度和成分取决于粉碎、酸洗等后续处理工艺和手段。碳化硅粉末也可以由竖炉或高温回转窑连续化生产,可获得高质量的b-SiC粉体。SiO2细粉与碳粉混合料在竖炉的惰性气氛中,在低于2000℃的温度下发生然热还原反应,合成b-SiC粉体。所获得的SiC的粒度为微米级。但往往含有非反应的SiO2和C,需进行后续的酸洗和脱碳处理。利用高温回转窑也可生产除高质量的SiC细粉。