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碳化硅的基本性质

来源:http://www.ayrjjscl.com/news/416.html 发布日期: 2022-09-05
      半导体行业作为现代电子信息产业的基础,是支撑国民经济高质量发展的重要行业。碳化硅是目前发展成熟的第三代半导体材料。



      碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子组成,密度是3.2g/cm3,天然碳化硅非常罕见,主要通过人工合成。其晶体结构具有同质多型体的特点,在半导体领域常见的是具有立方闪锌矿结构的3C-SiC和六方纤锌矿结构的4H-SiC和6H-SiC。碳化硅硬度在20℃时高达莫氏9.2-9.3,是硬的物质之一,可以用于切割红宝石;导热率超过金属铜,是Si的3倍、GaAs的8-10倍,且其热稳定性高,在常压下不可能被熔化;碳化硅具有宽禁带、耐击穿的特点,其禁带宽度是Si的3倍,击穿电场为Si的10倍。碳化硅以各种形态和应用方式在电子信息存储、传输和数据通讯等相关行业内发挥了巨大的作用,凭借其稳定的化学特性和半导体材料特质,在半导体材料领域获得了大的发展空间。碳化硅粉料有多种合成方式,主要有固相法、液相法和气相法3种。其中,固相法包括碳热还原法、自蔓延高温合成法和机械粉碎法;液相法包括溶胶-凝胶法和聚合物热分解法;气相法包括化学气相沉积法、等离子体法和激光诱导法等。我厂生产的碳化硅质量还是很不错的,如果您对于该产品有疑问或者需要,您可以向我们致电咨询。

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